उच्च शुद्धता असलेली SiC बोट

उच्च-शुद्धता सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) बोट ही उच्च-कार्यक्षमता असलेली सिरेमिक वाहक आहे जी उच्च-तापमान अर्धवाहक प्रक्रिया, क्रिस्टल वाढ आणि अचूक उष्णता उपचारांसाठी डिझाइन केलेली आहे. ती अल्ट्रा-हाय शुद्धता SiC मटेरियलने सिंटर केलेली आहे आणि उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोधकता, थर्मल शॉक प्रतिरोधकता आणि रासायनिक स्थिरता आहे. सेमीकंडक्टर प्रसार, CVD, LED एपिटॅक्सी आणि फोटोव्होल्टेइक सिंगल क्रिस्टल वाढीमध्ये याचा मोठ्या प्रमाणात वापर केला जातो.

अर्ज:

उच्च शुद्धता SiC बोट ही एक प्रमुख अर्धसंवाहक प्रक्रिया वापरण्यायोग्य आहे, जी प्रामुख्याने उच्च-तापमानाच्या वातावरणात वेफर्स वाहून नेण्यासाठी आणि हस्तांतरित करण्यासाठी वापरली जाते आणि सिलिकॉन वेफर प्रसार, ऑक्सिडेशन, अॅनिलिंग आणि CVD प्रक्रियांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरली जाते. हे विशेषतः तिसऱ्या पिढीतील अर्धसंवाहकांच्या (जसे की SiC/GaN) आणि पॉवर उपकरणांच्या उच्च-तापमान प्रक्रियांसाठी योग्य आहे.

प्रदान करता येणाऱ्या सेवा:

ग्राहक अर्ज परिस्थिती विश्लेषण, जुळणारे साहित्य, तांत्रिक समस्या सोडवणे.

कंपनी प्रोफाइल:

सेमिक्सलॅबमध्ये २ प्रयोगशाळा आहेत, २० वर्षांचा साहित्याचा अनुभव असलेले तज्ञांचे पथक आहे, ज्यात संशोधन आणि विकास आणि उत्पादन, चाचणी आणि पडताळणी क्षमता आहेत.

तांत्रिक बाबी

मुख्य अनुप्रयोग फील्ड

पर्यावरणीय साखळी पडताळणी समर्थन

सेमिक्सलॅब हाय-प्युरिटी SiC बोटची इकोलॉजिकल चेन व्हेरिफिकेशनमध्ये कच्च्या मालापासून उत्पादनापर्यंतचा समावेश आहे, आंतरराष्ट्रीय दर्जाचे प्रमाणपत्र उत्तीर्ण झाले आहे आणि सेमीकंडक्टर आणि नवीन ऊर्जा क्षेत्रात त्याची विश्वासार्हता आणि शाश्वतता सुनिश्चित करण्यासाठी अनेक पेटंट तंत्रज्ञान आहेत.

सामान्य अर्ज प्रक्रिया

कच्च्या मालाची तयारी (उच्च-शुद्धता SiC पावडर) → फॉर्मिंग प्रक्रिया (ड्राय प्रेसिंग/आयसोस्टॅटिक प्रेसिंग) → सिंटरिंग प्रक्रिया → मशीनिंग आणि पृष्ठभाग फिनिशिंग (CNC ग्राइंडिंग/पॉलिशिंग, केमिकल एचिंग, एनीलिंग) → शुद्धीकरण आणि CVD कोटिंग → गुणवत्ता नियंत्रण → पॅकेजिंग

अत्याधुनिक प्रक्रिया पॅरामीटर ऑप्टिमायझेशनद्वारे, सेमिक्सलॅब हाय-प्युरिटी SiC बोटची अद्वितीय स्ट्रक्चरल डिझाइन उत्कृष्ट वेफर स्थिरता सुनिश्चित करते आणि कण दूषित होण्याचा धोका लक्षणीयरीत्या कमी करते. तिचे सेवा आयुष्य पारंपारिक क्वार्ट्ज बोटींपेक्षा 5-8 पट जास्त असू शकते, ज्यामुळे ते उच्च-तापमान वेफर प्रक्रियेसाठी एक आदर्श वाहक उपाय बनते. या नवोपक्रमामुळे ते सेमीकंडक्टर मार्केटमधील आयात हळूहळू बदलू शकते, उच्च-कार्यक्षमता, किफायतशीर घरगुती उपाय प्रदान करते.

तपशीलवार तांत्रिक तपशील, श्वेतपत्रिका किंवा नमुना चाचणी व्यवस्थांसाठी, सेमिक्सलॅब तुमची प्रक्रिया कार्यक्षमता कशी वाढवू शकते हे शोधण्यासाठी कृपया आमच्या तांत्रिक सहाय्य टीमशी संपर्क साधा.

सेमीक्सलॅब हाय-प्युरिटी SiC बोटचे मुख्य फायदे

१. अत्यंत शुद्धता (मुख्य फायदा)

सेमिक्सलॅब हाय-प्युरिटी SiC बोटमध्ये अति-उच्च शुद्धता (≥99.9999%) असते आणि वेफर्स किंवा एपिटॅक्सियल मटेरियलचे दूषितीकरण टाळण्यासाठी अशुद्धता सामग्री (Fe, Al, Na, इ.) 1 ppm पातळीवर नियंत्रित केली जाते, जी विशेषतः SiC/GaN सेमीकंडक्टर उत्पादनासाठी योग्य आहे.

२. रासायनिक जडत्व (गंज प्रतिकार)

आम्ल, अल्कली/प्लाझ्मा इरोशनला प्रतिरोधक, आणि HF, HCl, H2 (जसे की सेमीकंडक्टर एचिंग प्रक्रिया) सारख्या संक्षारक वायूंना प्रतिकार करू शकते. उच्च तापमानात वायू सोडला जात नाही.

३. यांत्रिक शक्ती आणि आयुष्यमान

अति-उच्च कडकपणा, उत्कृष्ट पोशाख प्रतिरोधकता, कण गळतीचा धोका कमी करते आणि सेवा आयुष्य वाढवते (सामान्यतः क्वार्ट्ज बोटपेक्षा 3 ते 5 पट). उच्च तापमानात सहजपणे विकृत होत नाही, वेफर सपाटपणा राखते (जसे की डिफ्यूजन फर्नेसमध्ये वॉरपेज <0.1 मिमी).

४. प्रक्रिया सुसंगतता

विविध कठोर वातावरण, ऑक्सिडेशन/कपात वातावरण (जसे की O2, H2, Ar) आणि CVD/PVD कोटिंग प्रक्रियांना अनुकूल. पृष्ठभाग कस्टमाइज केले जाऊ शकते, जसे की पॉलिशिंग (Ra<0.1μm) किंवा कोटिंग (जसे की SiO2) दूषितता आणखी कमी करण्यासाठी.