उच्च-शुद्धता SiC वेफर बोट

सेमीकंडक्टर उत्पादन क्षेत्रात, उच्च-तापमान प्रक्रिया वेफर वाहकांसाठी अत्यंत आव्हाने निर्माण करतात. जेव्हा तापमान १६०० डिग्री सेल्सियसपेक्षा जास्त होते, तेव्हा पारंपारिक क्वार्ट्ज वाहक (वेफर वापरलेली क्वार्ट्ज बोट) मऊ आणि विकृत होऊ लागते आणि प्रदूषक सोडू लागते, ज्यामुळे वेफर स्क्रॅप रेट वाढतो.

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) च्या अंतर्निहित भौतिक फायद्यांसह, उच्च-शुद्धता SiC वेफर बोट, उद्योगातील या समस्येचे पूर्णपणे निराकरण करते आणि प्रगत अर्धसंवाहक उत्पादनासाठी, विशेषतः SiC पॉवर डिव्हाइस उत्पादनासाठी एक आवश्यक साधन बनते.

उत्पादनाचे मुख्य भौतिक गुणधर्म आणि तांत्रिक मापदंड:

सिलिकॉन कार्बाइड वेफर कॅरियर (SiC वेफर कॅरियर) ची उत्कृष्ट कामगिरी त्याच्या अद्वितीय भौतिक विज्ञान गुणधर्मांमुळे आहे. खाली प्रमुख भौतिक पॅरामीटर्सची तपशीलवार तुलना दिली आहे:

हे पॅरामीटर्स थेट सुधारित उत्पन्न आणि अर्धवाहक उत्पादनातील कमी खर्चात रूपांतरित होतात, जसे की खालील मध्ये दर्शविले आहे:

थर्मल परफॉर्मन्स फायदा: SiC चा रुंद बँडगॅप (3.26 eV) 2000°C वर स्थिर क्रिस्टल स्ट्रक्चर राखतो आणि थर्मल डिफॉर्मेशन टाळतो याची खात्री करतो. उच्च थर्मल चालकता (4.9 W/cm·K) वेफरला अधिक समान रीतीने गरम करण्यास अनुमती देते आणि थर्मल स्ट्रेसमुळे होणारे जाळीचे दोष दूर करते.

यांत्रिक ताकद: ९.२ Mohs कडकपणा प्रक्रियेदरम्यान भौतिक प्रभावांना प्रतिकार करतो आणि सेवा आयुष्य पारंपारिक क्वार्ट्ज वाहकांपेक्षा १० पट जास्त आहे. अद्वितीय अर्धवर्तुळाकार स्लॉट डिझाइन ५MPa पेक्षा कमी वेफर संपर्क ताण नियंत्रित करते, मुळात उच्च-तापमान स्लिप घटना दूर करते.

रासायनिक जडत्व: HF आणि HCl सारख्या अत्यंत संक्षारक वायूंना सहनशीलता १०,००० तासांपेक्षा जास्त असते आणि LPCVD, प्रसार, ऑक्सिडेशन आणि इतर प्रक्रियांमध्ये शून्य प्रदूषण राखले जाते.

उच्च शुद्धता असलेल्या SiC वेफर बोटची महत्त्वाची भूमिका

आमची उच्च-शुद्धता असलेली SiC वेफर बोट खालील प्रमुख अर्धसंवाहक उत्पादन प्रक्रियांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरली जाते:

उच्च-तापमान अ‍ॅनिलिंग: sic वेफर उत्पादकाच्या उत्पादन श्रेणीमध्ये, डोपेंट्स सक्रिय करण्यासाठी आणि जाळीतील दोष दुरुस्त करण्यासाठी उच्च-तापमानाचे अ‍ॅनिलिंग हे एक महत्त्वाचे पाऊल आहे. SiC वेफर बोटची उच्च-तापमान स्थिरता अ‍ॅनिलिंग प्रक्रियेची एकसमानता आणि प्रभावीता सुनिश्चित करते.

एपिटॅक्सियल वाढ: सिलिकॉन-आधारित एपिटॅक्सि असो किंवा सिलिकॉन कार्बाइड वेफर एपिटॅक्सि असो, SiC वेफर बोटचा उच्च तापमान प्रतिकार आणि गंज प्रतिकार यामुळे ते उच्च-गुणवत्तेच्या एपिटॅक्सियल थराच्या वाढीची खात्री करण्यासाठी एक आदर्श वाहक बनते.

वितरण: उच्च-तापमान प्रसार भट्टीमध्ये, LPCVD वेफर बोटमधील SiC वेफर बोट दीर्घकालीन उच्च-तापमान उपचारांना तोंड देऊ शकते ज्यामुळे डोपिंग अणूंचे एकसमान प्रसार सुनिश्चित होते आणि अचूक विद्युत गुणधर्म तयार होतात.

पातळ फिल्म डिपॉझिशन: विशेषतः Lpcvd वेफर बोट अनुप्रयोगांसाठी, SiC वेफर बोट्सची अत्यंत कमी कण शेडिंग आणि उत्कृष्ट थर्मल चालकता उच्च-गुणवत्तेची, उच्च-एकसमान फिल्म मिळविण्यास मदत करते.

सुसंगत उपकरणे आणि प्रक्रिया सुसंगतता:

✔ मुख्य प्रवाहातील LPCVD फर्नेसशी सुसंगत (जसे की TEL, Kokusai, ASM, SVG, Tystar, इ.)

✔ १०० मिमी/१५० मिमी/२०० मिमी सारखे कस्टमायझ करण्यायोग्य वेफर स्पेसिफिकेशन्स

✔ क्षैतिज आणि उभ्या प्रक्रिया उपकरणांच्या स्थापनेला समर्थन देते.

सेमिक्सलॅबची SiC वेफर बोट ही तुमची प्रक्रिया कार्यक्षमता आणि उत्पादन उत्पन्न सुधारण्यासाठी एक आदर्श पर्याय आहे आणि प्रगत सेमीकंडक्टर वेफर बोट सोल्यूशन्समध्ये आघाडीवर आहे.

सेमीक्सलॅब उत्पादनांची दुकाने